Transistörler - JFET

J112-D26Z

JFET N-CH 35V 625MW TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
J112

J112-D26Z Hakkında

J112-D26Z, onsemi tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 35V breakdown voltajı ve 625mW maksimum güç yayınlama kapasitesi ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5mA Idss değeri ve 50 Ohm RDS(on) direnci ile düşük sinyal seviyelerde çalışmaya uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bileşen, analog anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri, low-noise preamplifierlar ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5 mA @ 15 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Resistance - RDS(On) 50 Ohms
Supplier Device Package TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok