Transistörler - JFET

J112_D11Z

JFET N-CH 35V 625MW TO92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
J112

J112_D11Z Hakkında

J112_D11Z, onsemi tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 35V breakdown voltajı ve 625mW maksimum güç disipasyonu ile orta seviye uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5mA Idss değeri ve 50 Ohm RDS(On) direnci ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, analog sinyal işleme, zayıf sinyalli anahtarlama ve ses frekansı uygulamalarında tercih edilir. Eski bir ürün olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif seçenekler incelenmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5 mA @ 15 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Resistance - RDS(On) 50 Ohms
Supplier Device Package TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok