Transistörler - JFET
J111
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- J111
J111 Hakkında
J111, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel JFET (Junction Field-Effect Transistor) transistörüdür. Küçük sinyal uygulamalarına yönelik tasarlanan bu bileşen, 20mA drain akımı (Idss) ve 15V Vds'de çalışır. TO-92-3 paketinde sunulan J111, analog anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 625mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 30 Ohm RDS(On) direnci ile düşük sinyalli uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, ses amplifikatörleri, ön işlemci devreleri ve hassas ölçüm sistemlerinde yer alır. 35V VGS(BR)SS kırılma voltajı ve 3V kesme voltajı ile güvenli çalışma ortamı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20 mA @ 15 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Resistance - RDS(On) | 30 Ohms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 35 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 3 V @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok