Transistörler - IGBT - Tekil
IXYQ40N65B3D1
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXYQ40N65B3D1
IXYQ40N65B3D1 Hakkında
IXYQ40N65B3D1, Littelfuse tarafından üretilen PT tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter diyot gerilimi ve 86A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. XPT-GENX3 teknolojisi ile üretilen bu komponent, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 68nC gate charge ve 20ns on, 140ns off geçiş zamanları ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maximum 300W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. TO-3P paketinde sunulan bu IGBT, endüstriyel sürücü sistemleri, güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 86 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 195 A |
| Gate Charge | 68 nC |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 800µJ (on), 700µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/140ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok