Transistörler - IGBT - Tekil

IXYP24N100A4

IGBT DISCRETE TO-220

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXYP24N100A4

IXYP24N100A4 Hakkında

IXYP24N100A4, Littelfuse tarafından üretilen PT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) diskret transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 1000V collector-emitter breakdown voltajı ve 85A maksimum collector akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 375W maksimum güç derecelendirilmesine sahip olan cihaz, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanabilir. 44nC gate charge ve 47ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve konverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaydır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 85 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 145 A
Gate Charge 44 nC
IGBT Type PT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 375 W
Reverse Recovery Time (trr) 47 ns
Supplier Device Package TO-220 (IXYP)
Switching Energy 3.5mJ (on), 2.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 13ns/216ns
Test Condition 800V, 24A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok