Transistörler - IGBT - Tekil
IXYP10N65C3D1M
IGBT
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXYP10N65C3D1M
IXYP10N65C3D1M Hakkında
IXYP10N65C3D1M, Littelfuse tarafından üretilen 650V/15A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 Full Pack Isolated Tab paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.6V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Maksimum 53W güç dağıtabilir ve -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır. 26ns ters iyileştirme süresi ve 240µJ açılış, 170µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile AC/DC güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Through Hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Gate Charge | 18 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 53 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 26 ns |
| Supplier Device Package | TO-220 Isolated Tab |
| Switching Energy | 240µJ (on), 170µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/77ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok