Transistörler - IGBT - Tekil
IXYN75N65C3D1
IGBT
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXYN75N65C3D1
IXYN75N65C3D1 Hakkında
IXYN75N65C3D1, Littelfuse tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. SOT-227-4 miniBLOC paketinde sunulan bu komponent, 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 150A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 600W maksimum güç kapasitesi ve 122nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, power conversion uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yer almaktadır. Düşük Vce(on) değeri (2.3V @ 15V, 60A) ile enerji kaybı minimize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 360 A |
| Gate Charge | 122 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 600 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Switching Energy | 2mJ (on), 950µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/93ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok