Transistörler - IGBT - Tekil
IXYK200N65B3
IGBT
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-264-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXYK200N65B3
IXYK200N65B3 Hakkında
IXYK200N65B3, Littelfuse tarafından üretilen 650V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 410A maksimum collector akımı ve 1100A pulse collector akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60ns on-delay ve 370ns off-delay sürelerine sahip hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 1560W maksimum güç yönetimi ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve kaynak cihazları gibi alanlarda kullanılmaya elverişli kılmaktadır. 340nC gate charge değeri ve düşük switching energy konsumpsiyonu, verimli ve kontrollü anahtarlama işlemini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 410 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 1100 A |
| Gate Charge | 340 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1560 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 108 ns |
| Supplier Device Package | TO-264 |
| Switching Energy | 5mJ (on), 4mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 60ns/370ns |
| Test Condition | 400V, 100A, 0Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok