Transistörler - IGBT - Tekil

IXYJ20N120C3D1

IGBT 1200V 21A 105W TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXYJ20N120C3D1

IXYJ20N120C3D1 Hakkında

IXYJ20N120C3D1, Littelfuse tarafından üretilen 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, yüksek voltaj güç uygulamalarında kullanılan yarı iletken bileşendir. 21A sürekli collector akımı ve 84A pulslu akım kapasitesine sahip olan bu transistör, 105W maksimum güç dağıtabilir. TO-247-3 paketlemesinde sunulan komponent, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, inverterler, motor kontrolörleri ve fotovoltaik sistemler gibi alanlarda yer alır. 600V test koşullarında 3.4V Vce(on) değeri ile verimli işletme sağlayan IGBT, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Düşük gate charge değeri (53nC) hızlı switching performansı ve 20ns açılış, 90ns kapanış süresi ile enerji verimliliği destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 21 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 84 A
Gate Charge 53 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 105 W
Reverse Recovery Time (trr) 195 ns
Supplier Device Package ISO247
Switching Energy 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 20ns/90ns
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok