Transistörler - IGBT - Tekil
IXYA8N90C3D1
IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXYA8N90C3D1
IXYA8N90C3D1 Hakkında
IXYA8N90C3D1, Littelfuse tarafından üretilen 900V/20A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek gerilim anahtarlaması gerektiren devrelerde kullanılır. Maksimum 125W güç dağıtabilme yeteneğine sahip olan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 900V kırılma gerilimi, 13.3nC kapı yükü ve 114ns ters kurtarma süresi ile güç elektronikleri, endüstriyel konvertör, motor kontrol ve çeşitli anahtarlama devreleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 48 A |
| Gate Charge | 13.3 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 114 ns |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Switching Energy | 460µJ (on), 180µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/40ns |
| Test Condition | 450V, 8A, 30Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok