Transistörler - IGBT - Tekil

IXYA20N65C3D1

IGBT

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXYA20N65C3D1

IXYA20N65C3D1 Hakkında

IXYA20N65C3D1, Littelfuse tarafından üretilen 650V Collector-Emitter breakthrough voltajına sahip bir IGBT transistördür. 50A maksimum collector akımı ve 105A pulse akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 200W maksimum güç dağıtımı, 30nC gate charge ve 19ns/80ns açılma/kapanma süresi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrolü, güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 105 A
Gate Charge 30 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 200 W
Reverse Recovery Time (trr) 34 ns
Supplier Device Package TO-263AA
Switching Energy 430µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 19ns/80ns
Test Condition 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok