Transistörler - IGBT - Tekil
IXYA20N65C3
IGBT
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXYA20N65C3
IXYA20N65C3 Hakkında
IXYA20N65C3, Littelfuse tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 20A DC collector akımı ve 105A pulsed akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 230W maksimum güç yeteneğine sahiptir. Operating temperature aralığı -55°C ile 175°C arasında değişebilmektedir. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük açılış kaybı sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel uygulamalar ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 30nC gate charge ve 34ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 230 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34 ns |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Switching Energy | 430µJ (on), 650µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/80ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 20Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok