Transistörler - IGBT - Tekil

IXYA20N120A4HV

DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXYA20N120A4

IXYA20N120A4HV Hakkında

IXYA20N120A4HV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT transistörüdür. XPT-GENX4 serisi bu bileşen, 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 80A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. PT tipi IGBT yapısı, düşük on-state voltajı (1.9V @ 15V, 20A) ve hızlı anahtarlama performansı sağlar. 375W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve switched mode power supply uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 46nC gate charge ve 54ns reverse recovery time ile verimli anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 135 A
Gate Charge 46 nC
IGBT Type PT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 375 W
Reverse Recovery Time (trr) 54 ns
Supplier Device Package TO-263HV
Switching Energy 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 12ns/275ns
Test Condition 800mV, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok