Transistörler - IGBT - Tekil

IXYA12N250CHV

DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXYA12N250CHV

IXYA12N250CHV Hakkında

IXYA12N250CHV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2500V collector-emitter breakdown voltajı ve 28A sürekli collector akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. 310W maksimum güç kapasitesi ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç dönüştürücülerde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 56nC gate charge ve 3.56mJ on switching energy ile verimli komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 28 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 80 A
Gate Charge 56 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 310 W
Reverse Recovery Time (trr) 16 ns
Supplier Device Package TO-263HV
Switching Energy 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 12ns/167ns
Test Condition 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok