Transistörler - IGBT - Tekil
IXXQ30N60B3M
IGBT
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXXQ30N60B3M
IXXQ30N60B3M Hakkında
IXXQ30N60B3M, Littelfuse tarafından üretilen 600V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 33A maksimum collector akımı ve 140A pulsed collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı switching uygulamalarında kullanılır. 39nC gate charge ve 23ns/150ns açılma/kapanma gecikme süreleri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Güç elektronikleri, motor sürücüleri, inverter devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 90W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında etkindir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 33 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 140 A |
| Gate Charge | 39 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 90 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 36 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 550µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/150ns |
| Test Condition | 400V, 24A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 24A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok