Transistörler - IGBT - Tekil

IXXH80N65B4H1

IGBT 650V 160A 625W TO247AD

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXXH80N65B4H1

IXXH80N65B4H1 Hakkında

IXXH80N65B4H1, Littelfuse tarafından üretilen 650V kolektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sağlanan bu bileşen, 160A maksimum DC kolektör akımı ve 625W maksimum güç yönetimine uygundur. PT tipi IGBT olarak tasarlanan cihaz, endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve solar inverterlerde kullanılır. 120nC gate charge, 38ns açılış ve 120ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, yüksek güç yoğunluklu uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 160 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 430 A
Gate Charge 120 nC
IGBT Type PT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 625 W
Reverse Recovery Time (trr) 150 ns
Supplier Device Package TO-247 (IXXH)
Switching Energy 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 38ns/120ns
Test Condition 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok