Transistörler - IGBT - Tekil
IXXH110N65B4
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXXH110N65B4
IXXH110N65B4 Hakkında
IXXH110N65B4, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. XPT-GENX4 teknolojisinde tasarlanan bu bileşen, 650V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 250A maksimum kolektör akımı ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, anahtarlama güç kaynaklarında (SMPS), motor kontrol devrelerinde, UPS sistemlerinde ve endüstriyel inverterlerde yaygın olarak uygulanmaktadır. 880W maksimum güç kapasitesi, 183nC gate charge değeri ve düşük anahtarlama enerjisi (2.2mJ açılış, 1.05mJ kapanış) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenli işletim sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 570 A |
| Gate Charge | 183 nC |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 880 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
| Switching Energy | 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/146ns |
| Test Condition | 400V, 55A, 2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 110A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok