Transistörler - IGBT - Tekil

IXXA30N65C3HV

IGBT

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXXA30N65C3

IXXA30N65C3HV Hakkında

IXXA30N65C3HV, Littelfuse tarafından üretilen 650V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. Maximum 52A DC collector akımı ve 113A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 37nC gate charge ve 230W maksimum güç derecelendirmesi ile özellikle anahtarlama uygulamalarında, motor sürücü devreleri, çevirici uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaktadır. 33ns açılış ve 125ns kapanış gecikmesi, 500µJ açılış ve 450µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile verimli enerji dönüşüm uygulamalarına uygun karakteristikleri vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 52 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 113 A
Gate Charge 37 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 230 W
Reverse Recovery Time (trr) 33 ns
Supplier Device Package TO-263HV
Switching Energy 500µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 33ns/125ns
Test Condition 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok