Transistörler - IGBT - Tekil

IXST15N120B

IGBT 1200V 30A 150W TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXST15N120B

IXST15N120B Hakkında

IXST15N120B, Littelfuse tarafından üretilen 1200V 30A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. PT tipi IGBT olarak tasarlanmış bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapar. Maximum 150W güç dağıtabilir ve pulsed akımda 60A'ye kadar dayanabilir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan komponent, güç elektronikleri, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 30ns açılış ve 148ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.5mJ kapalı anahtarlama enerjisine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
Gate Charge 57 nC
IGBT Type PT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Obsolete
Power - Max 150 W
Supplier Device Package TO-268AA
Switching Energy 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 30ns/148ns
Test Condition 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok