Transistörler - IGBT - Tekil
IXSH10N60B2D1
IGBT 600V 20A 100W TO247
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXSH10N60B2
IXSH10N60B2D1 Hakkında
IXSH10N60B2D1, Littelfuse tarafından üretilen 600V 20A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. PT (Punch Through) teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevlerini gerçekleştirmek için kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 100W güç tüketim kapasitesine ve 25ns reverse recovery time değerine sahiptir. Gate charge 17nC ile düşük enerji tüketiminde çalışır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 17 nC |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 430µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/180ns |
| Test Condition | 480V, 10A, 30Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok