Transistörler - IGBT - Tekil

IXGT6N170AHV-TRL

IXGT6N170AHV TRL

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXGT6N170AHV

IXGT6N170AHV-TRL Hakkında

IXGT6N170AHV-TRL, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1700V kollektör-emitter kırılma voltajı ile güç elektoniği uygulamalarında kullanılmaktadır. 6A nominal kolektör akımı ve 14A pulse akımı kapasitesi ile orta güç seviyesi anahtarlama devrelerinde yer alır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel konvertörler, kaynak makineleri, enerji dönüştürücüler ve elektrik motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. 46ns açılış ve 220ns kapanış gecikme süreleri hızlı anahtarlama gerektiren devrelere uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 14 A
Gate Charge 18.5 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power - Max 75 W
Reverse Recovery Time (trr) 40 ns
Supplier Device Package TO-268HV
Switching Energy 590µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 46ns/220ns
Test Condition 850V, 6A, 33Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok