Transistörler - IGBT - Tekil
IXGT6N170A
IGBT 1700V 6A 75W TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXGT6N170A
IXGT6N170A Hakkında
IXGT6N170A, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. NPT (Non-Punch Through) teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 1700V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile çalışır. 75W güç kapasitesi ile uygulamalarda kullanılan bu transistör, TO-268-3 (D³Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 18.5nC gate charge ve 46ns/220ns (açılış/kapanış) gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. İnverterler, motor sürücüleri, elektrik dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 14 A |
| Gate Charge | 18.5 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Switching Energy | 590µJ (on), 180µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 46ns/220ns |
| Test Condition | 850V, 6A, 33Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 7V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok