Transistörler - IGBT - Tekil

IXGT39N60BD1

IGBT 600V 76A 200W TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXGT39N60BD1

IXGT39N60BD1 Hakkında

IXGT39N60BD1, Littelfuse tarafından üretilen 600V/76A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-268-3 (D³Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 200W maksimum güç dağılımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 1.7V düşük Vce(on) değeri ile verimli performans sağlar. 110nC gate charge ve 25ns/250ns hızlı anahtarlama zamanları ile motor kontrolü, inverter devreleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 76 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 152 A
Gate Charge 110 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Obsolete
Power - Max 200 W
Reverse Recovery Time (trr) 25 ns
Supplier Device Package TO-268AA
Switching Energy 4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/250ns
Test Condition 480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 39A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok