Transistörler - IGBT - Tekil
IXGT32N90B2D1
IGBT 900V 64A 300W TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXGT32N90B2D1
IXGT32N90B2D1 Hakkında
IXGT32N90B2D1, Littelfuse tarafından üretilen 900V Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponentidir. Maksimum 64A sürekli kolektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü uygulamaları, güç dönüştürücüler, inverterler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri için kullanılır. 2.7V Vce(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 89nC gate charge ve 20ns/260ns açılı/kapanış gecikme süreleri hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 64 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 89 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 190 ns |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Switching Energy | 2.2mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/260ns |
| Test Condition | 720V, 32A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 32A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok