Transistörler - IGBT - Tekil

IXGT20N120BD1

IGBT 1200V 40A 190W TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXGT20N120BD1

IXGT20N120BD1 Hakkında

IXGT20N120BD1, Littelfuse tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. 40A sürekli collector akımı ve 100A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 190W maksimum güç yayılımı ve TO-268 paketlemesi ile endüstriyel anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürücülerde tercih edilir. 72nC gate charge, 40ns reverse recovery time ve 25ns/150ns açma/kapanma zamanları ile hızlı switching performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100 A
Gate Charge 72 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power - Max 190 W
Reverse Recovery Time (trr) 40 ns
Supplier Device Package TO-268AA
Switching Energy 2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/150ns
Test Condition 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok