Transistörler - IGBT - Tekil

IXGT10N170

IGBT 1700V 20A 110W TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXGT10N170

IXGT10N170 Hakkında

IXGT10N170, Littelfuse tarafından üretilen 1700V/20A yüksek voltaj IGBT transistörüdür. NPT (Non Punch Through) teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 110W güç tüketimi ve 70A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan komponent, endüstriyel güç dönüştürücüleri, servo sürücüleri, UPS sistemleri ve kaynak makinaları gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, güvenilir ve sabit performans sunar. 32nC gate charge ve 4V Vce(on) değerleri ile verimli anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 70 A
Gate Charge 32 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power - Max 110 W
Supplier Device Package TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok