Transistörler - IGBT - Tekil

IXGQ85N33PCD1

IGBT 330V 85A 150W TO3P

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
IXGQ85N33PCD1

IXGQ85N33PCD1 Hakkında

IXGQ85N33PCD1, Littelfuse tarafından üretilen 330V Collector-Emitter voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 85A maksimum collector akımı ve 150W maksimum güç tüketim kapasitesi ile tasarlanmış olup, TO-3P paket tipinde sunulmaktadır. 80 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 250 ns reverse recovery time ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devreleri, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 85 A
Gate Charge 80 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power - Max 150 W
Reverse Recovery Time (trr) 250 ns
Supplier Device Package TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok