Transistörler - IGBT - Tekil
IXGQ20N120BD1
IGBT 1200V 40A 190W TO3P
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXGQ20N120BD1
IXGQ20N120BD1 Hakkında
IXGQ20N120BD1, Littelfuse tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 40A collector akımı ve 190W güç yönetim kapasitesi ile tasarlanmıştır. Gate charge değeri 62 nC, Vce(on) voltajı 15V gate voltajında 20A akımda 3.4V'tur. Reverse recovery time 40 ns olan bu transistör, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında, güç elektronikleri devrelerinde, invertörler, chopper devreleri ve motor sürücülerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, kritik voltaj sınırlandırma ve hızlı anahtarlama özellikleriyle endüstriyel anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 62 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 190 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 2.1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/270ns |
| Test Condition | 960V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok