Transistörler - IGBT - Tekil
IXGP20N120BD1
IGBT 1200V 40A 190W TO220
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXGP20N120BD
IXGP20N120BD1 Hakkında
IXGP20N120BD1, Littelfuse tarafından üretilen 1200V/40A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 190W güç yönetim kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 3.4V (15V gate voltajında, 20A collector akımında) olan bu transistör, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 72nC gate charge ve 25ns/150ns açılma/kapanma süresi ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılabilir. 40ns reverse recovery time ile optimize edilmiştir. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, kaynak makineleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 72 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 190 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 2.1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/150ns |
| Test Condition | 960V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok