Transistörler - IGBT - Tekil
IXGN200N170
IGBT
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXGN200N170
IXGN200N170 Hakkında
IXGN200N170, Littelfuse tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) türü tekil transistördür. 1700V maksimum Collector-Emitter gerilim (Vce) ve 280A sürekli collector akımı (Ic) kapasitesine sahiptir. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim ve akım uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 1050A pulslu akım kapasitesi ile güç elektroniği devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar. Düşük switching energy değerleri (on: 28mJ, off: 30mJ) ve 133ns reverse recovery time ile enerji verimliliği öne çıkar. Inverter, konvertör ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 280 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 1050 A |
| Gate Charge | 540 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 133 ns |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Switching Energy | 28mJ (on), 30mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/320ns |
| Test Condition | 850V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok