Transistörler - IGBT - Tekil

IXGM25N100A

POWER MOSFET TO-3

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-204AE
Seri / Aile Numarası
IXGM25N100A

IXGM25N100A Hakkında

IXGM25N100A, Littelfuse tarafından üretilen 1000V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-204AE (TO-3) paketinde sunulan bu komponent, 50A sürekli kollektor akımı ve 100A pulsed akımı destekler. 200W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile elektrik şebekeleri, endüstriyel motor kontrol sistemleri, güç dönüştürücüleri ve inverterlerde kullanılır. 1000V collector-emitter arasında yüksek voltaj dayanıklılığı ile orta-yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. 180nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işletim gösterir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100 A
Gate Charge 180 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AE
Part Status Obsolete
Power - Max 200 W
Reverse Recovery Time (trr) 200 ns
Supplier Device Package TO-204AE
Switching Energy 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 100ns/500ns
Test Condition 800V, 25A, 33Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok