Transistörler - IGBT - Tekil

IXGK50N90B2D1

IGBT 900V 75A 400W TO264

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-264-3
Seri / Aile Numarası
IXGK50N90B2D1

IXGK50N90B2D1 Hakkında

IXGK50N90B2D1, Littelfuse tarafından üretilen 900V-rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 75A sürekli kolektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 400W maksimum güç disipasyonu, 2.7V on-state voltajı ve 135nC gate charge değerleri ile endüstriyel sürücü, güç kaynakları, kaynak makinaları ve invertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, farklı ortam koşullarında kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 75 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 135 nC
IGBT Type PT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Part Status Active
Power - Max 400 W
Reverse Recovery Time (trr) 200 ns
Supplier Device Package TO-264 (IXGK)
Switching Energy 4.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 20ns/350ns
Test Condition 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok