Transistörler - IGBT - Tekil
IXGA8N100
IGBT 1000V 16A 54W TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXGA8N100
IXGA8N100 Hakkında
IXGA8N100, Littelfuse tarafından üretilen 1000V/16A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. PT tipi (punch-through) IGBT teknolojisi kullanan bu komponent, TO-263-3 yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. Maksimum 54W güç tüketimi ve 32A pulse akımı ile tasarlanmıştır. 26.5nC gate charge ve 2.3mJ kapanış switching enerjisi ile kontrolü kolaydır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır. Endüstriyel güç elektroniği, motor sürücüleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında kullanılır. 15ns açılış ve 600ns kapanış zamanı sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama gerçekleştirir. Vce(on) değeri 2.7V @ 15V gate voltajında 8A kollektör akımında ölçülmüştür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 32 A |
| Gate Charge | 26.5 nC |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 54 W |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Switching Energy | 2.3mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/600ns |
| Test Condition | 800V, 8A, 120Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok