Transistörler - IGBT - Tekil

IXGA12N100

IGBT 1000V 24A 100W TO263AA

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXGA12N100

IXGA12N100 Hakkında

IXGA12N100, Littelfuse tarafından üretilen 1000V collector-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 24A DC kolektör akımı ve 48A pulsed akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 100W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 65nC gate charge ve 100ns/850ns (on/off) anahtarlama zamanı ile hızlı komütasyon gerektiren dc-dc dönüştürücüler, inverterler ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 24 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 48 A
Gate Charge 65 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 100 W
Supplier Device Package TO-263AA
Switching Energy 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 100ns/850ns
Test Condition 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok