Transistörler - IGBT - Tekil
IXBT6N170
IGBT 1700V 12A 75W TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXBT6N170
IXBT6N170 Hakkında
IXBT6N170, Littelfuse tarafından üretilen 1700V yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 12A nominal kollektör akımı ve 36A pulslu akımı ile tasarlanmış olan bu komponent, 75W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan IXBT6N170, endüstriyel güç dönüştürücüler, inverter devreleri, motor sürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 3.4V Vce(on) değeri ile düşük kondüksyon kaybı sağlayan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına ve 1.08µs ters kurtarma zamanına sahiptir. 17nC gate charge değeri hızlı anahtarlamayı mümkün kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 36 A |
| Gate Charge | 17 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.08 µs |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok