Transistörler - IGBT - Tekil
IXBT42N170-TRL
IXBT42N170 TRL
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXBT42N170
IXBT42N170-TRL Hakkında
IXBT42N170-TRL, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1700V collector-emitter breakdown voltajı ve 80A maksimum collector akımı özellikleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 188nC gate charge ve 37ns açılış, 340ns kapanış sürelerine sahip olup, hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. 360W maksimum güç kapasitesi ile inverterler, servo sürücüler, endüstriyel güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde uygulanır. TO-268 D³Pak yüzey montajlı kasa tipi ile kompakt tasarımlar mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 188 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360 W |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/340ns |
| Test Condition | 850V, 42A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 42A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok