Transistörler - IGBT - Tekil

IXBT2N250

IGBT 2500V 5A 32W TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXBT2N250

IXBT2N250 Hakkında

IXBT2N250, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 2500V kolektör-emitör kırılma voltajı ve maksimum 5A sürekli kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 32W maksimum güç kaybı ile TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulmaktadır. Esas uygulamaları arasında anahtarlama güç kaynakları, inverter devreler, motor kontrol sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları yer almaktadır. 10.6nC gate charge ve 920ns reverse recovery time özellikleri hızlı anahtarlama davranışı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 13 A
Gate Charge 10.6 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power - Max 32 W
Reverse Recovery Time (trr) 920 ns
Supplier Device Package TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok