Transistörler - IGBT - Tekil

IXBT24N170

IGBT 1700V 60A 250W TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXBT24N170

IXBT24N170 Hakkında

IXBT24N170, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1700V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 60A maksimum collector akımı ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 250W maksimum güç kapasitesi ve 2.5V Vce(on) değerleri ile etkin enerji yönetimi sağlar. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve indüktif yüklerin kontrolünde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 1.06µs reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 230 A
Gate Charge 140 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power - Max 250 W
Reverse Recovery Time (trr) 1.06 µs
Supplier Device Package TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok