Transistörler - IGBT - Tekil
IXBT16N170AHV
IGBT
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXBT16N170AHV
IXBT16N170AHV Hakkında
IXBT16N170AHV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1700V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 16A maksimum collector akımı ve 40A pulslu akım kapasitesi ile güç dönüştürücü devreleri, inverter uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde çalıştırılır. TO-268-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 150W maksimum güç dissipasyonu ve düşük switching energy karakteristiği ile verimli devrelerin tasarlanmasını sağlar. 65nC gate charge ve 15ns/250ns açılma/kapanma süresi hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 65 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Supplier Device Package | TO-268HV |
| Switching Energy | 2.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/250ns |
| Test Condition | 1360V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok