Transistörler - IGBT - Tekil

IXBA16N170AHV-TRL

DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV-TRL Hakkında

IXBA16N170AHV-TRL, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. 1700V kolektör-emitter gerilimi ve 16A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 65nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, schweißgeräte (kaynak makineleri) ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 360ns reverse recovery time ile verimli komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 16 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A
Gate Charge 65 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 150 W
Reverse Recovery Time (trr) 360 ns
Supplier Device Package TO-263HV
Switching Energy 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 15ns/160ns
Test Condition 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok