Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
IV1D12020T3
SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
- Üretici
- —
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- IV1D12020T3
IV1D12020T3 Hakkında
IV1D12020T3, Silicon Carbide (SiC) Schottky teknolojisine dayalı bir doğrultucu diyot dizisidir. 1200V ters voltaj derecelendirmesi ve 20A ortalama doğrultulmuş akımı ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Bileşen, 1 çift ortak katot konfigürasyonunda sunulmuş olup TO-247-3 paketinde integre edilmiştir. 1.8V @ 20A ileri voltaj düşüşü ve sıfır reverse recovery time özellikleri ile yüksek frekansli anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, güç kaynakları, PFC devreleri ve DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak yer almaktadır. 100 µA @ 1200V ters sızıntı akımı ile düşük kayıplar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 30A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok