Transistörler - IGBT - Tekil
ISL9V5045S3ST
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9V5045S3ST
ISL9V5045S3ST Hakkında
ISL9V5045S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 51A maksimum collector akımı ve 480V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Surface Mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, inverter devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 32nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 300W güç yönetebilir. Vce(on) değeri 4V gate voltajında 10A akımda 1.6V'dur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 51 A |
| Gate Charge | 32 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 W |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/10.8µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 4V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 480 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok