Transistörler - IGBT - Tekil
ISL9V5036S3ST_SB82170
INTEGRATED CIRCUIT
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9V5036S3ST
ISL9V5036S3ST_SB82170 Hakkında
ISL9V5036S3ST_SB82170, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Surface mount D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 46A maksimum collector akımı ve 390V breakdown voltajı ile çalışabilir. 250W güç sınırlaması ile tasarlanmıştır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu entegre devre, 1.6V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 10.8µs turn-off süresi ve 32nC gate charge karakteristiği ile hızlı komutasyon yapar. Güç elektronikleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve inverter uygulamalarında kullanılan bu bileşen, logic seviyesi giriş uyumluluğuna sahiptir. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 46 A |
| Gate Charge | 32 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/10.8µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 4V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 390 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok