Transistörler - IGBT - Tekil

ISL9V3040S3ST

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
ISL9V3040S3ST

ISL9V3040S3ST Hakkında

ISL9V3040S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen yalıtılı kapı bipolar transistörüdür (IGBT). Surface Mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 21A kolektör akımı ve 430V kırılma gerilimi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güç anahtarlaması görevini yerine getirir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 4.8µs kapalı duruma geçiş süresi ve 17nC kapı yükü ile kontrol edilebilir anahtarlama karakteristiği sunar. Motor kontrol, ışık diyodu sürücüleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 21 A
Gate Charge 17 nC
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 150 W
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C -/4.8µs
Test Condition 300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok