Transistörler - IGBT - Tekil

ISL9V3040D3ST

IGBT 430V 21A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ISL9V3040D3

ISL9V3040D3ST Hakkında

ISL9V3040D3ST, onsemi tarafından üretilen 430V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 21A kollektör akımı ve 1.6V Vce(on) değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ve 17nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 21 A
Gate Charge 17 nC
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 150 W
Supplier Device Package TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C -/4.8µs
Test Condition 300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok