Transistörler - IGBT - Tekil
ISL9V3040D3S
IGBT 430V 21A 150W TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9V3040D3S
ISL9V3040D3S Hakkında
ISL9V3040D3S, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 430V maksimum collector-emitter gerilimi ve 21A maksimum collector akımı ile 150W güç seviyesinde çalışmaya uygun olup, sınıflandırılmış durumdadır. TO-252-3 (DPak) SMD pakette sunulan bu komponent, 1.6V üzerinden (4V gate geriliminde, 6A akımda) düşük on-state gerilimi sağlar. 17nC gate yükü ile hızlı anahtarlama (4.8µs off zamanı) kapasitesi bulunmaktadır. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanıma uygunluk gösterir. Güç kaynağı devrelerinde, motor kontrolörlerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Gate Charge | 17 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Td (on/off) @ 25°C | -/4.8µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok