Transistörler - IGBT - Tekil
ISL9V3036S3ST
IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9V3036S3ST
ISL9V3036S3ST Hakkında
ISL9V3036S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 360V collector-emitter diyot gerilimi ve 21A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 1.6V Vce(on) değeri ve 150W maksimum güç kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketi, kompakt ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirmektedir. 4.8µs kapalı duruma geçiş süresi ve 17nC gate charge değeri ile düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Gate Charge | 17 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Td (on/off) @ 25°C | -/4.8µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 360 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok