Transistörler - IGBT - Tekil
ISL9V2540S3ST
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9V2540S3ST
ISL9V2540S3ST Hakkında
ISL9V2540S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 430V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 15.5A maksimum collector akımı ile güç yönetimi, motor kontrol, inverter devreleri ve endüstriyel şalterler gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bileşen, 1.8V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında işletme yapabilir ve 166.7W maksimum güç tüketimi özellikleriyle tasarlanmıştır. Surface mount montaj tipi ile modern PCB üretimine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15.5 A |
| Gate Charge | 15.1 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 166.7 W |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/3.64µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok