Transistörler - IGBT - Tekil
ISL9V2040S3ST
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9V2040S3ST
ISL9V2040S3ST Hakkında
ISL9V2040S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir half-bridge IGBT transistörüdür. 430V Vce breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile güç dönüştürme, motor kontrolü, inverter ve UPS gibi uygulamalarda yer alır. 130W maksimum güç kapasitesi, 12nC gate charge ve 3.64µs turn-off delay değerleriyle hızlı anahtarlama sağlar. Surface mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Gate Charge | 12 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 130 W |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/3.64µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok