Transistörler - IGBT - Tekil
ISL9V2040S3ST
IGBT 430V 10A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9V2040S3ST
ISL9V2040S3ST Hakkında
ISL9V2040S3ST, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 430V maksimum Collector-Emitter kırılma gerilimi ve 10A maksimum Collector akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu transistör, 130W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 12nC gate charge ve 3.64µs turn-off zamanı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüsü, DC-DC dönüştürücü ve güç elektoniği devrelerinde kullanılır. Logic level giriş tipi ile TTL/CMOS uyumluluğu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Gate Charge | 12 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 130 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/3.64µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok